XLD905-75WPDiodo láser pulsado de alta potencia de 905 nm y 75 Wutiliza tecnología de unión de túnel apilado para lograr una alta potencia de salida de 75W. Tiene un total de 10 uniones pn apiladas una encima de la otra. Cada unión pn es responsable de amplificar la potencia de salida de la unión anterior. El apilamiento de uniones pn da como resultado un área de contacto más significativa entre los electrodos y las capas de semiconductores, lo que conduce a una mayor potencia de salida. La tecnología de unión de túneles apilados es un enfoque prometedor para construir diodos láser de alta potencia de salida.

| Parámetros | Símbolo | Unidad | Valor numérico típico |
| Parámetro óptico (@25 grados) | |||
| longitud de onda central | λ | Nuevo Méjico | 905 |
| tolerancia | λo | Nuevo Méjico | ± 10 |
| ancho espectral | △λ | Nuevo Méjico | Menor o igual a 5 |
| modo de trabajo | pulsado | ||
| fuerza | Correos | W | 75 |
| tamaño luminoso | L | μm∙ μm | 200*10 |
| ángulo de divergencia del haz | θ⊥ | grado | Menor o igual a 28 |
| θ∥ | grado | Menor o igual a 10 | |
| directividad del haz | θ | grado | Menor o igual a ±1.5 |
| Propiedades eléctricas (@25 grados) | |||
| corriente de umbral | Ith | A | 1 |
| corriente de trabajo | Yopuka | A | 30 |
| tensión de trabajo | Vop | V | 24 |
| ancho de pulso de trabajo | t | ns | 100 |
| frecuencia de repetición | f | kHz | 5 |
| ciclo de trabajo | D | - | 0.05 por ciento |
| Propiedad Térmica | |||
| temperatura de trabajo | tc | ºC | -40~70 |
| temperatura de almacenamiento | Tstg | ºC | -40~85 |
| coeficiente de temperatura de longitud de onda | -- | nm/ºC | 0.28 |
| temperatura de soldadura | ts | ºC | 260 |
ElDiodo láser pulsado de alta potencia de 905 nm y 75 WEl empaque de un diodo láser es esencial para mantener la estabilidad y confiabilidad del diodo láser. El enfoque de empaque tradicional implica sellar herméticamente el diodo láser en un paquete de metal. Sin embargo, este enfoque es costoso y requiere mucho tiempo. La llegada de los envases de plástico de bajo costo ha abierto nuevos horizontes en el campo de los diodos láser. Los envases de plástico no solo son rentables, sino que también permiten una producción más rápida. ElDiodo láser pulsado de alta potencia de 905 nm y 75 Wutiliza envases de plástico de bajo costo para reducir el costo total del diodo láser. El empaque está diseñado para ser rentable, fácil de usar y altamente confiable. El embalaje de plástico proporciona una protección adecuada al diodo láser y ayuda a mantener su estabilidad.

El tamaño de la fuente de luz de un diodo láser es el tamaño físico de la cavidad del láser semiconductor. ElDiodo láser pulsado de 905 nm y 75 Wtiene un tamaño de fuente de luz de 200um*10um. El tamaño pequeño de la fuente de luz es muy beneficioso en aplicaciones donde se requiere un tamaño de haz pequeño. El pequeño tamaño del haz permite una salida de láser altamente enfocada y de alta resolución. ElDiodo láser pulsadoes una excelente opción para aplicaciones como el escaneo láser, donde se requiere un haz de alta resolución.

|
|
|
| 1. Poder - Relación actual | 2.Relación corriente-voltaje |
|
|
|
| 3.Curva de espectro |
4. Longitud de onda/Curva de temperatura |
|
|
|
|
Resistencia
|
6. Imagen de efecto luminoso |
|
|
|
|
Ángulo de divergencia vertical
|
Ángulo de divergencia horizontal
|
Contacto:
Correo electrónico:info@loshield.com
Teléfono: 0086-18092277517
FAX: 86-29-81323155
WhatsApp:0086-18092277517
Facebook
LinkedIn
Gorjeo
YouTube
Instagram
Etiqueta: Diodo láser pulsado de alta potencia de 905 nm y 75 vatios, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizado, mayorista, mejor, barato, profesional, en venta, cerca de mí















