La banda de 1550 nm InGaAsP MQW DFBDiodo láserJuega un papel importante en la tecnología de detección y comunicación por fibra óptica debido a su rendimiento superior. Su innovación tecnológica y expansión de aplicaciones continúan promoviendo el progreso del campo de la optoelectrónica.
Características:
Estructura de pozo cuántico: utilizando la tecnología de pozos cuánticos múltiples (MQW), la eficiencia y la estabilidad de la emisión de luz se mejoran al apilar múltiples capas de puntos cuánticos.
Mecanismo de retroalimentación distribuida: los láseres de retroalimentación distribuida (DFB) son capaces de proporcionar una salida de longitud de onda estable, lo cual es fundamental para mantener la calidad de la señal en los sistemas de comunicación óptica.
Embalaje compacto: se utiliza tecnología avanzada de soldadura láser para lograr un embalaje tipo mariposa, lo que hace que el láser sea compacto y de tamaño pequeño, lo que facilita su integración en varios dispositivos optoelectrónicos.
Salida de alta potencia: algunos láseres DFB de 1550 nm pueden alcanzar una potencia de salida de 138 mW en modo de funcionamiento continuo a temperatura ambiente, lo que muestra buenas características fundamentales de salida en modo transversal.
Embalaje hermético: el embalaje hermético puede proteger el láser del entorno externo y mejorar su confiabilidad y estabilidad.
Control de temperatura de alta precisión: el refrigerador semiconductor incorporado puede lograr un control de temperatura de alta precisión para garantizar una potencia y longitud de onda estables del láser.
Las aplicaciones principales incluyen:
Comunicación por fibra óptica: como fuente de luz clave en el sistema de comunicación por fibra óptica, se utiliza para transmitir señales de datos.
Sensores de fibra óptica: en el campo de los sensores de fibra óptica, pueden utilizarse como fuente de luz ideal debido a su estrecho ancho de línea y su alta estabilidad.
Instrumento de luz: Se utiliza en instrumentos ópticos como los reflectómetros ópticos en el dominio del tiempo (OTDR) para proporcionar fuentes de luz de prueba precisas.
La banda de 1550 nm juega un papel sumamente importante en el campo de las comunicaciones ópticas:
Ventana de pérdida mínima: la banda de 1550nm a menudo se denomina ventana de pérdida mínima o ventana de pérdida cero de la fibra óptica. En esta longitud de onda, la atenuación de la fibra de cuarzo es la más pequeña, aproximadamente inferior o igual a 0,3 dB/km. Esto hace que 1550 nm sea ideal para transmisiones de larga distancia y de alta eficiencia, ya que puede transmitir a distancias mayores sin la necesidad de una amplificación frecuente de la señal.
El papel de los sistemas de comunicación óptica: en los sistemas de comunicación óptica actuales y futuros, la banda de 1550 nm desempeña un papel fundamental. En comparación con la banda de 1310 nm, la banda de 1550 nm no solo tiene bajas pérdidas, sino que también tiene ciertas ventajas en la gestión de la dispersión. Además, también es muy utilizado en redes de área metropolitana, sistemas de cables ópticos submarinos y de larga distancia, ultralarga distancia. Especialmente en la tecnología de multiplexación por división de longitud de onda (WDM), la banda C (1530 nm ~ 1565 nm) muestra la pérdida más baja de la industria. Una de las opciones principales.
Comparación con otras bandas: en comparación con las bandas de 850nm y 1310 nm, la pérdida de fibra en la banda de 1550 nm es menor. La pérdida de 850 nm es tan alta como 2,5 dB/km, mientras que la pérdida de 1310 nm es de aproximadamente 0,4 dB/km. Por lo tanto, en aplicaciones que requieren transmisión de larga distancia, la banda de 1550 nm es más popular. Al mismo tiempo, la seguridad para el ojo humano de la banda de 1550 nm también la hace ampliamente utilizada en radares, sensores, comunicaciones, biomédica y otros campos.
La banda de 1550 nm se ha convertido en una banda crucial en la industria optoelectrónica debido a sus características de baja pérdida en la transmisión de fibra óptica y su potencial de aplicación en una variedad de sistemas de comunicación óptica. A medida que la tecnología siga avanzando, la importancia de esta banda se fortalecerá aún más en el futuro.
El diodo láser CWDM InGaAsP MQW DFB de 2 GHz de ancho de banda y 4 mW de potencia en la banda de 1550 nm se usa ampliamente en comunicaciones de fibra óptica y sistemas de detección de fibra óptica.
Solicitud:
Comunicaciones de fibra óptica: dado que su longitud de onda se encuentra en la ventana de pérdida más baja de la transmisión de fibra óptica, este diodo láser se puede utilizar para una transmisión de datos eficiente y a larga distancia. Su aplicación es particularmente destacada en redes de áreas metropolitanas, sistemas de cables ópticos submarinos y de larga distancia, especialmente en la tecnología de multiplexación por división de longitud de onda (WDM), que puede proporcionar capacidades de comunicación de gran ancho de banda.
Sistema de detección de fibra óptica: en el campo de los sensores de fibra óptica, el diodo láser de banda de 1550 nm se puede utilizar como fuente de luz ideal debido a su estrecho ancho de línea y su alta estabilidad. Estos láseres también han demostrado un rendimiento excelente en alcance láser y fuentes de luz de semillas.
Prueba de red óptica: este tipo de diodo láser también se puede utilizar para probar sistemas CWDM y DWDM para garantizar el rendimiento y la compatibilidad de los componentes de la red óptica. Su alta potencia de salida y su aislador óptico incorporado proporcionan una fuente de luz de prueba precisa que ayuda a mantener y optimizar el rendimiento de las redes ópticas.
Redes de comunicación óptica de alta velocidad: aunque la aplicación del ancho de banda de modulación directa de 2 GHz no se ha informado ampliamente en la actualidad, los diodos láser InGaAsP MQW DFB teóricamente tienen capacidades de modulación de hasta 40 GHz, lo que significa que tienen un alto potencial de aplicación en futuras redes ópticas de alta velocidad. redes de comunicación .
Integración fotónica y computación óptica: Las características de estos láseres, especialmente las de alta velocidad, les brindan importantes perspectivas de aplicación en los campos de la integración fotónica y la computación óptica. En estos campos, los láseres pueden emitir señales ópticas y eléctricas simultáneamente, proporcionando una variedad de funciones y posibilidades de aplicación.
Investigación y desarrollo de láseres semiconductores: la investigación y el desarrollo de obleas epitaxiales láser y láseres en la banda de 1550 nm también es un campo de aplicación importante. Por ejemplo, las obleas epitaxiales láser basadas en InP pueden cubrir todas las longitudes de onda de las comunicaciones de fibra óptica, y los materiales de AlGaInAs como pozos cuánticos pueden lograr una producción de alta potencia y gran ancho de banda.
Láser semiconductor de modo transversal: la investigación sobre la preparación de un láser semiconductor de modo transversal basado en AlGaInAs/InP de alta potencia de 1550 nm también es una dirección de aplicación importante. Estos láseres exhiben buena eficiencia de pendiente y potencia de salida en modo de operación continua a temperatura ambiente, lo que demuestra su potencial para aplicaciones prácticas.
El diodo láser 1550nm 2GHz 4mw CWDM InGaAsP MQW DFB tiene amplias perspectivas de aplicación en los campos de comunicación de fibra óptica, detección de fibra óptica, pruebas de redes ópticas, etc., y con el desarrollo de la tecnología, su aplicación en redes de comunicación óptica de alta velocidad, fotónica. integración y computación óptica y otros campos también continuará expandiéndose.
El diodo láser DFB de 1550 nm, 2 GHz, 4 mw CWDM InGaAsP MQW juega un papel vital en las comunicaciones de fibra óptica. Con su longitud de onda en la ventana de pérdida más baja, su alta capacidad de modulación de ancho de banda y su salida de potencia estable, optimiza la transmisión de datos a larga distancia y alta velocidad. Es un componente de fuente de luz indispensable en las redes de comunicación modernas.
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